Вакуумное оборудование
УСТАНОВКА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ «ГРАНАТ-Э4»
Установка предназначена для выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов из расплава по методу Чохральского в токопроводящем тигле, в вакууме, инертной или окислительной среде – циклическим и полунепрерывным способом – с МПСУ основными параметрами процесса.
Составные части установки:
- кристаллизатор (вакуумная рабочая камера);
- привод перемещения штока;
- система вакуумная с БУВС;
- шкаф газовый;
- шкаф конденсаторный;
- рама (станина);
- шкаф системы охлаждения;
- шкаф (блок) системы управления.
Технические характеристики
|
Температура плавления |
2200 |
|
Внутренние размеры рабочей камеры мм: |
|
|
диаметр |
600 |
|
высота |
1200 |
|
Остаточное давление в рабочей камере |
7,5 х10-4 мм.рт.ст |
|
Газовая система обеспечивает расход в камере |
|
|
аргон, м3/ч |
0,4…1,2 |
|
кислород, м3/ч |
0,008…0,024 |
|
Привод перемещения штока обеспечивает: |
|
|
скорость рабочая, мм/ч |
0,2…20 |
|
скорость установочного перемещения, мм/мин |
0…200 |
|
Рабочий ход штока, мм |
500 ±10 |
|
Диапазон изменения частоты вращения, об/мин |
2…40 |
|
Выходная мощность транзисторного преобразователя частоты, кВт |
40 |
|
Максимальные размеры выращиваемого кристалла, мм: |
|
|
диаметр |
140 |
|
длина |
300 |
|
Диапазон датчика веса, кг |
5; 10 |
|
Давление охлаждающей воды, кПа |
от 200 до 250 |
|
Габаритные размеры установки, мм: |
|
|
длина |
2100 |
|
ширина |
1410 |
|
высота |
2750 (3080мах.) |
|
Масса, кг |
1370 |
От изготовления до монтажа